Язык:

Перераспределение электронной плотности в кристаллах Ge и CdS в результате внешнего воздействия : Автореферат дис. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук

Айглер, Ганс (1923-)

Хранится в Русский книжный фонд (Моск.пр.) (58-4/12356 )(обновляем...)

Заглавие:
Перераспределение электронной плотности в кристаллах Ge и CdS в результате внешнего воздействия : Автореферат дис. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук
Шифр хранения: 58-4/12356
Описание: Айглер Г. Перераспределение электронной плотности в кристаллах Ge и CdS в результате внешнего воздействия : Автореферат дис. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Ленингр. гос. ордена Ленина ун-т им. А.А. Жданова. - Ленинград, 1958. - 12 с. ; 20 см.
Автор: Айглер, Ганс (1923-)
Язык: Русский
Находится в библиотеках: NLR
Системный номер: NLR01 008222713

Ссылки

Назад к списку результатов