skip to main content

Получение и моделирование свойств наноструктурированных материалов и BAX диодов с барьером Шоттки на основе SiC (наноматериалы экстремальной электроники - от SiC;GaN и до алмаза) : монография

Алтухов, Виктор Иванович (1943-) NLR10::RU\NLR\AUTH\770242397; Дадашев, Райком Хасимханович (1950-); Санкин, Александр Викторович (1956-)

2020

Хранится в Русский книжный фонд (Моск.пр.)    (2021-3/10217 )(обновляем...)

Авторизируйтесь, чтобы отправить ваш отзыв

Авторизируйтесь, чтобы добавить новые метки

Ищем в удалённых базах данных, пожалуйста подождите