Язык:

Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Макаренко, Владимир Александрович

Электронная копия. Библиотека также имеет физические копии.

Заглавие:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Шифр хранения: 2006-А/7423
Описание: Макаренко В. А. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников> / Макаренко Владимир Александрович ; [Воронеж. гос. ун-т]. - Воронеж, 2006. - 16 с. : ил. ; 21 см.. - Библиогр.: с. 15-16 (13 назв.)
Автор: Макаренко, Владимир Александрович
Язык: Русский
ББК: 22.33
Примечания: Библиогр.: с. 15-16 (13 назв.)
Коллекции: Авторефераты
Системный номер: NLR01 001018430

Ссылки

Назад к списку результатов